MMBTA63 复制

品牌：Fairchild Semiconductor复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

类目： 达林顿管

编号：L58601765

集射极击穿电压(Vceo)：30V

直流电流增益(hFE)：10000

耗散功率(Pd)：200mW

集电极电流(Ic)：500mA

MMBTA63 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

编号：L58601795

MMBTA63-7-F-W 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

编号：L58601239

MMBTA63-7 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

编号：L58611411

MMBTA63-HF 复制

品牌：Comchip Technology复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

编号：L58609598

MMBTA63-TP 复制

品牌：MCC (Micro Commercial Components)复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

编号：L58608504

MMBTA63-7-F 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

类目： 达林顿管

编号：L58606663

集射极击穿电压(Vceo)：30V

直流电流增益(hFE)：10000

耗散功率(Pd)：300mW

集电极电流(Ic)：500mA

MMBTA63LT1G 复制

品牌：onsemi复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

编号：L58606661

手册: