MQ2N2608UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166185

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：750 mV @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1 mA @ 5 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10pF @ 5V

供应商器件封装：UB

MQ2N2608 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166098

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：6 V @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1 mA @ 5 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10pF @ 5V

供应商器件封装：TO-18（TO-206AA）

MQ2N2608UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166184

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：750 mV @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1 mA @ 5 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10pF @ 5V

供应商器件封装：UB

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品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795967

栅源截止电压(VGS(off))：750mV@1uA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：300mW

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：1mA@5V

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品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795966

栅源截止电压(VGS(off))：750mV@1uA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：300mW

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：1mA@5V

MQ2N2608 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795884

栅源截止电压(VGS(off))：6V@1uA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：300mW

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：1mA@5V

MQ2N2608UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239975

栅源截止电压(VGS(off))：750mV@1uA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：300mW

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：1mA@5V

MQ2N2608UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239974

栅源截止电压(VGS(off))：750mV@1uA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：300mW

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：1mA@5V

MQ2N2608 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239792

栅源截止电压(VGS(off))：6V@1uA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：300mW

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：1mA@5V