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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

MQ2N2608UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166185

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：750 mV @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：1 mA @ 5 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10pF @ 5V

供应商器件封装：UB

总额：¥ 0

Total:11
总1条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

MQ2N2608UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795967

栅源截止电压(VGS(off))：750mV@1uA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：300mW

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：1mA@5V

100+： ¥ 1157.437212

总额：¥ 115743.72

MQ2N2608UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239975

栅源截止电压(VGS(off))：750mV@1uA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：300mW

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：1mA@5V

100+： ¥ 1157.437212

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