MQ2N4091UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166137

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：30 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

MQ2N4091 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166058

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：30 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：TO-18（TO-206AA）

制造商：Microchip Technology

MQ2N4091UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166139

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：30 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

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品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795923

手册:  

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：30Ω

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：30mA@20V

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品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795921

手册:  

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：30Ω

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：30mA@20V

MQ2N4091 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795841

手册:  

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：30Ω

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：30mA@20V

MQ2N4091UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239931

手册:  

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：30Ω

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：30mA@20V

MQ2N4091UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239929

手册:  

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：30Ω

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：30mA@20V

MQ2N4091 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239749

手册:  

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：30Ω

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：30mA@20V