MQ2N4092UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166140

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

MQ2N4092UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166135

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 20 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16pF @ 20V

供应商器件封装：UB

制造商：Microchip Technology

MQ2N4092UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795924

手册:  

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：50Ω

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：15mA@20V

MQ2N4092UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795919

手册:  

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：50Ω

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：15mA@20V

MQ2N4092UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239932

手册:  

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：50Ω

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：15mA@20V

MQ2N4092UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239927

手册:  

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：50Ω

饱和漏源电流(Idss@Vds，Vgs=0)：15mA@20V