MQ2N4858UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166134

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

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品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166128

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

MQ2N4858 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166029

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：TO-18（TO-206AA）

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品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795918

栅源截止电压(VGS(off))：800mV@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω

MQ2N4858UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795913

栅源截止电压(VGS(off))：800mV@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω

MQ2N4858 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L44795818

栅源截止电压(VGS(off))：800mV@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω

MQ2N4858UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239926

栅源截止电压(VGS(off))：800mV@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω

MQ2N4858UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239821

栅源截止电压(VGS(off))：800mV@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω

MQ2N4858 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L33239726

栅源截止电压(VGS(off))：800mV@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω