MQ2N4859UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166133

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：50 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

MQ2N4859UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166125

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：50 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

MQ2N4859 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166032

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：50 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：TO-18（TO-206AA）

MQ2N4859UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512422

栅源截止电压(VGS(off))：4V@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：25Ω

MQ2N4859UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512415

栅源截止电压(VGS(off))：4V@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：25Ω

MQ2N4859 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512324

栅源截止电压(VGS(off))：4V@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：25Ω