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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

MQ2N5116UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166097

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：27pF @ 15V

供应商器件封装：UB

总额：¥ 0

MQ2N5116UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166093

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：5 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：27pF @ 15V

供应商器件封装：UB

总额：¥ 0

Total:21
总2条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

MQ2N5116UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512387

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：1V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：175Ω

100+： ¥ 725.004926

总额：¥ 72500.49

MQ2N5116UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512383

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：1V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：175Ω

100+： ¥ 723.605057

总额：¥ 72360.51

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