MV2N4858UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166120

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：卷带（TR）

系列：*

零件状态：在售

MV2N4858UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166114

手册:  

制造商：Microchip Technology

包装：散装

基本产品编号：MV2N4858

系列：*

零件状态：在售

MV2N4858 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166046

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 0.5 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：80 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：TO-18（TO-206AA）

MV2N4858UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：L58700541

制造商：Microchip Technology

包装：卷带（TR）

系列：*

零件状态：在售

MV2N4858UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：L58700536

基本产品编号：MV2N4858

系列：*

零件状态：在售

MV2N4858 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700465

栅源截止电压(VGS(off))：4V@0.5nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：40V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω