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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

MV2N5114 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166060

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：10 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：90 mA @ 18 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：TO-18（TO-206AA）

总额：¥ 0

MV2N5114UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166177

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：5 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：30 mA @ 18 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

总额：¥ 0

MV2N5114UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166181

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：5 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：30 mA @ 18 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

总额：¥ 0

Total:31
总3条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

MV2N5114UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700600

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：5V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：75Ω

100+： ¥ 916.532469

总额：¥ 91653.25

MV2N5114UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700596

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：5V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：75Ω

100+： ¥ 915.132600

总额：¥ 91513.26

MV2N5114 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700479

栅源截止电压(VGS(off))：10V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：75Ω

100+： ¥ 626.123264

总额：¥ 62612.33

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