MX2N4861 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166022

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：4 V @ 0.5 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：80 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：TO-18（TO-206AA）

MX2N4861UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166073

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

MX2N4861UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166067

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 500 pA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：18pF @ 10V

供应商器件封装：UB

MX2N4861UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700493

栅源截止电压(VGS(off))：800mV@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω

MX2N4861UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700483

栅源截止电压(VGS(off))：800mV@500pA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω

MX2N4861 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：TO-206AA，TO-18-3 金属罐

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700445

栅源截止电压(VGS(off))：4V@0.5nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：360mW

导通电阻(RDS(on))：60Ω