MX2N5115UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166153

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

MX2N5115UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：-

编号：D6166161

手册:  

FET 类型：P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：3 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：15 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 15V

供应商器件封装：UB

MX2N5115UB/TR 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512449

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：3V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω

MX2N5115UB 复制

品牌：Microchip Technology复制

封装：3-SMD，无引线

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L65512441

手册:  

栅源截止电压(VGS(off))：3V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V

耗散功率(Pd)：500mW

导通电阻(RDS(on))：100Ω