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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

PN4118 复制

品牌:Fairchild Semiconductor复制

封装:-

编号:D6165414

手册:  

FET 类型:N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):1 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):80 µA @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3pF @ 10V

供应商器件封装:TO-92-3

总额:¥ 0

PN4118 TO-92 3L ROHS 复制

品牌:Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装:-

编号:D6165486

手册:  

FET 类型:N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):1 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):80 µA @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3pF @ 10V

供应商器件封装:TO-92

总额:¥ 0

PN4118 复制

品牌:onsemi复制

封装:-

编号:D6165255

手册:  

FET 类型:N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):1 V @ 1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):80 µA @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3pF @ 10V

供应商器件封装:TO-92-3

总额:¥ 0

Total:31
总3条记录,每页20条,共1页。
Digikey
原厂正品

PN4118 复制

品牌:Fairchild Semiconductor复制

封装:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

类目: 结型场效应管(JFET)

编号:L65511716

栅源截止电压(VGS(off)):1V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V

耗散功率(Pd):225mW

饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):80uA@10V

2597+: ¥ 0.991643

总额:¥ 2575.3

PN4118 TO-92 3L ROHS 复制

品牌:Linear Integrated Systems, Inc.复制

封装:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

类目: 结型场效应管(JFET)

编号:L65511808

栅源截止电压(VGS(off)):1V@1nA

栅源击穿电压(V(BR)GSS):40V

耗散功率(Pd):300mW

饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):80uA@10V

1+: ¥ 42.723277

10+: ¥ 28.336193

50+: ¥ 22.140078

100+: ¥ 20.146876

500+: ¥ 16.654806

总额:¥ 42.72

PN411811 复制

品牌:Powerex Inc.复制

封装:POW-R-BLOK™ 模块

类目: 智能功率模块(IPM)

编号:L65455486

商品目录:智能功率模块(IPM)

类型:IGBT

隔离电压(Vrms):1500Vrms

30+: ¥ 4759.059071

总额:¥ 142771.77

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