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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

RGT30TM65DGC9 复制

品牌:rohm semiconductor复制

封装:-

类目: IGBT管/模块

编号:L51028803

集射极击穿电压(Vces):650V

集电极电流(Ic):14A

耗散功率(Pd):32W

栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,15A

1+: ¥ 275.470106

10+: ¥ 140.162925

100+: ¥ 127.183147

500+: ¥ 103.931603

1000+: ¥ 99.075859

总额:¥ 275.47

没有符合条件的记录。
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原厂正品

RGT30TM65DGC9 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:TO-220-3 整包

类目: IGBT管/模块

编号:L65433106

集射极击穿电压(Vces):650V

集电极电流(Ic):14A

耗散功率(Pd):32W

栅极阈值电压(Vge(th)):2.1V@15V,15A

1+: ¥ 33.302671

50+: ¥ 16.889330

100+: ¥ 15.297743

500+: ¥ 12.508913

1000+: ¥ 11.613129

2000+: ¥ 10.860224

5000+: ¥ 10.453568

总额:¥ 33.3

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