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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

S8GS-E3/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44085009

1+： ¥ 8.594238

10+： ¥ 5.338344

100+： ¥ 3.474055

500+： ¥ 2.672808

1000+： ¥ 2.414568

总额：¥ 8.59

S8GC 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44087286

1+： ¥ 6.363041

10+： ¥ 3.933516

100+： ¥ 2.530342

500+： ¥ 1.923622

1000+： ¥ 1.727938

总额：¥ 6.36

S8G-E3/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44085066

1+： ¥ 9.090059

10+： ¥ 5.701946

100+： ¥ 3.721966

500+： ¥ 2.870971

1000+： ¥ 2.596782

总额：¥ 9.09

S8GLHE3-TP 复制

品牌：MCC (Micro Commercial Components)复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44084964

1+： ¥ 8.181053

10+： ¥ 5.082169

100+： ¥ 3.293907

500+： ¥ 2.523070

1000+： ¥ 2.274498

总额：¥ 8.18

S8GCH 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44094473

1+： ¥ 6.528315

10+： ¥ 4.065735

100+： ¥ 2.617937

500+： ¥ 1.993037

1000+： ¥ 1.791320

总额：¥ 6.53

S8GC V7G 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44092459

1+： ¥ 11.817077

10+： ¥ 7.453848

100+： ¥ 4.946645

总额：¥ 11.82

S8G-M3/I 复制

品牌：Vishay复制

封装：DO-214AB，SMC

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44105773

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

7000+： ¥ 2.351764

总额：¥ 16462.35

S8G-E3/H 复制

品牌：Vishay复制

封装：DO-214AB，SMC

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44105320

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

8500+： ¥ 2.106167

总额：¥ 17902.42

S8GLQ-TP 复制

品牌：MCC (Micro Commercial Components)复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44105207

3000+： ¥ 2.058072

6000+： ¥ 1.892468

9000+： ¥ 1.808178

15000+： ¥ 1.756199

总额：¥ 6174.22

S8G-M3/H 复制

品牌：Vishay复制

封装：DO-214AB，SMC

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44105151

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

8500+： ¥ 2.031380

总额：¥ 17266.73

S8GS-M3/I 复制

品牌：Vishay复制

封装：DO-214AB，SMC

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44105067

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

7000+： ¥ 1.967502

总额：¥ 13772.51

S8GL-TP 复制

品牌：MCC (Micro Commercial Components)复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44104963

3000+： ¥ 1.933621

总额：¥ 5800.86

S8GS-M3/H 复制

品牌：Vishay复制

封装：DO-214AB，SMC

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44104954

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

8500+： ¥ 1.927093

总额：¥ 16380.29

S8GS-E3/H 复制

品牌：Vishay复制

封装：DO-214AB，SMC

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44104511

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

8500+： ¥ 1.711410

总额：¥ 14546.99

S8G 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44104084

3000+： ¥ 1.545641

6000+： ¥ 1.471102

总额：¥ 4636.92

S8GC-T 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AB，SMC

编号：L44102420

3000+： ¥ 1.032548

6000+： ¥ 0.940325

9000+： ¥ 0.898428

总额：¥ 3097.64

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