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  • Mouser
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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

S8Ks-m3/i 复制

品牌:vishay复制

封装:-

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:L51025514

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

1+: ¥ 82.734412

10+: ¥ 51.172074

100+: ¥ 33.616691

500+: ¥ 26.426454

1000+: ¥ 23.251545

3500+: ¥ 20.543533

7000+: ¥ 17.181864

总额:¥ 82.73

没有符合条件的记录。
Digikey
原厂正品

S8KS-E3/I 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44085008

1+: ¥ 8.594238

10+: ¥ 5.338344

100+: ¥ 3.474055

500+: ¥ 2.672808

1000+: ¥ 2.414568

总额:¥ 8.59

S8K-E3/I 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44085064

1+: ¥ 9.090059

10+: ¥ 5.701946

100+: ¥ 3.721966

500+: ¥ 2.870971

1000+: ¥ 2.596782

总额:¥ 9.09

S8KC-13 复制

品牌:Diodes Incorporated复制

封装:DO-214AB,SMC

类目: 通用二极管

编号:L44079713

正向压降(Vf):985mV@8A

直流反向耐压(Vr):800V

整流电流:8A

反向电流(Ir):10uA@800V

1+: ¥ 9.255333

10+: ¥ 5.759792

100+: ¥ 3.764937

500+: ¥ 2.905513

1000+: ¥ 2.628597

总额:¥ 9.26

S8KCH 复制

品牌:Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44087302

1+: ¥ 6.528315

10+: ¥ 4.065735

100+: ¥ 2.617937

500+: ¥ 1.993037

1000+: ¥ 1.791320

总额:¥ 6.53

S8KC-HF 复制

品牌:Comchip Technology复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44087403

1+: ¥ 7.024137

10+: ¥ 4.363228

100+: ¥ 2.817918

500+: ¥ 2.150708

1000+: ¥ 1.935604

总额:¥ 7.02

S8KC 复制

品牌:Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44084645

1+: ¥ 6.363041

10+: ¥ 3.933516

100+: ¥ 2.530342

500+: ¥ 1.923622

1000+: ¥ 1.727938

总额:¥ 6.36

S8K_R1_00001 复制

品牌:Panjit International Inc.复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44094821

1+: ¥ 3.718661

10+: ¥ 2.280778

100+: ¥ 1.440361

总额:¥ 3.72

S8K-M3/I 复制

品牌:Vishay复制

封装:DO-214AB,SMC

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:L44105775

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

7000+: ¥ 2.351764

总额:¥ 16462.35

S8KS-M3/H 复制

品牌:Vishay复制

封装:DO-214AB,SMC

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:L44105553

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

8500+: ¥ 2.211777

总额:¥ 18800.1

S8K-M3/H 复制

品牌:Vishay复制

封装:DO-214AB,SMC

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:L44105149

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

8500+: ¥ 2.031380

总额:¥ 17266.73

S8KS-M3/I 复制

品牌:Vishay复制

封装:DO-214AB,SMC

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:L44105068

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

7000+: ¥ 1.967502

总额:¥ 13772.51

S8KL-TP 复制

品牌:MCC (Micro Commercial Components)复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44104959

3000+: ¥ 1.933621

总额:¥ 5800.86

S8KS-E3/H 复制

品牌:Vishay复制

封装:DO-214AB,SMC

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:L44104944

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

8500+: ¥ 1.925440

总额:¥ 16366.24

S8K-E3/H 复制

品牌:Vishay复制

封装:DO-214AB,SMC

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:L44104813

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

8500+: ¥ 1.847926

总额:¥ 15707.37

S8KC-T 复制

品牌:Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装:DO-214AB,SMC

编号:L44102421

3000+: ¥ 1.032548

6000+: ¥ 0.940325

9000+: ¥ 0.898428

总额:¥ 3097.64

S8K 复制

品牌:Diotec Semiconductor复制

封装:DO-214AB,SMC

类目: 通用二极管

编号:L44096316

直流反向耐压(Vr):800V

整流电流:8A

反向电流(Ir):10uA@800V

1+: ¥ 3.305476

10+: ¥ 2.289042

25+: ¥ 2.036173

100+: ¥ 1.760166

250+: ¥ 1.628939

500+: ¥ 1.549772

1000+: ¥ 1.484655

总额:¥ 3.31