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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

SE60 F 复制

品牌：Astrodyne TDI复制

封装：-

编号：D8768187

手册:  

制造商：Astrodyne TDI

包装：盒

基本产品编号：SE60

安装类型：底座安装

工作温度：-

总额：¥ 0

SE60 复制

品牌：Astrodyne TDI复制

封装：-

编号：D8759564

手册:  

制造商：Astrodyne TDI

包装：盒

安装类型：底座安装

工作温度：-

应用：通用

总额：¥ 0

Total:21
总2条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

SE60PWJCHM3/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

编号：L44088054

1+： ¥ 13.056630

10+： ¥ 8.214108

100+： ¥ 5.458167

500+： ¥ 4.274807

1000+： ¥ 3.893851

2000+： ¥ 3.573385

总额：¥ 13.06

SE60N3DHM3/I 复制

品牌：Vishay复制

封装：8-PowerVDFN

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44087801

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 10.081702

10+： ¥ 6.296932

100+： ¥ 4.129366

500+： ¥ 3.198048

1000+： ¥ 2.898159

2000+： ¥ 2.645786

总额：¥ 10.08

SE60N3GHM3/I 复制

品牌：Vishay复制

封装：8-PowerVDFN

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44087800

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 10.081702

10+： ¥ 6.296932

100+： ¥ 4.129366

500+： ¥ 3.198048

1000+： ¥ 2.898159

2000+： ¥ 2.645786

总额：¥ 10.08

SE60N3D-M3/I 复制

品牌：Vishay复制

封装：8-PowerVDFN

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44087641

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 8.594238

10+： ¥ 5.387926

100+： ¥ 3.507110

500+： ¥ 2.699417

1000+： ¥ 2.439111

2000+： ¥ 2.219958

总额：¥ 8.59

SE60N3G-M3/I 复制

品牌：Vishay复制

封装：8-PowerVDFN

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44087642

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 8.594238

10+： ¥ 5.387926

100+： ¥ 3.507110

500+： ¥ 2.699417

1000+： ¥ 2.439111

2000+： ¥ 2.219958

总额：¥ 8.59

SE60N3JHM3/I 复制

品牌：Vishay复制

封装：8-PowerVDFN

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44087804

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 10.081702

10+： ¥ 6.296932

100+： ¥ 4.129366

500+： ¥ 3.198048

1000+： ¥ 2.898159

2000+： ¥ 2.645786

总额：¥ 10.08

SE60N3J-M3/I 复制

品牌：Vishay复制

封装：8-PowerVDFN

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44087644

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 8.594238

10+： ¥ 5.387926

100+： ¥ 3.507110

500+： ¥ 2.699417

1000+： ¥ 2.439111

2000+： ¥ 2.219958

总额：¥ 8.59

SE60 F 复制

品牌：Astrodyne TDI复制

封装：-

编号：L64131198

基本产品编号：SE60

安装类型：底座安装

工作温度：-

应用：通用

1+： ¥ 2086.581725

5+： ¥ 1545.557941

10+： ¥ 1506.966508

总额：¥ 2086.58

SE60 复制

品牌：Astrodyne TDI复制

封装：-

编号：L64139472

安装类型：底座安装

工作温度：-

应用：通用

滤波器类型：单相

1+： ¥ 2086.581725

5+： ¥ 1545.557941

10+： ¥ 1506.966508

总额：¥ 2086.58

SE60PWBCHM3/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

编号：L44107516

13500+： ¥ 3.453892

总额：¥ 46627.54

SE60PWGC-M3/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

编号：L44106717

13500+： ¥ 2.930800

总额：¥ 39565.8

SE60PWBC-M3/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

编号：L44106716

13500+： ¥ 2.930800

总额：¥ 39565.8

SE60PWJC-M3/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

编号：L44106715

13500+： ¥ 2.930800

总额：¥ 39565.8

SE60PWGCHM3/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

编号：L44106439

13500+： ¥ 2.803457

总额：¥ 37846.67

SE60PWDCHM3/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

编号：L44106438

13500+： ¥ 2.803457

总额：¥ 37846.67

SE60PWDC-M3/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

编号：L44105805

13500+： ¥ 2.378868

总额：¥ 32114.72

SZLCSC
原厂正品

SE60-90X 复制

品牌：SURGING(绍鑫)复制

封装：SMD,6.8x3.5

类目： 气体放电管(GDT)

编号：L64842743

直流击穿电压(Vdc)：75V

精度：±20%

脉冲放电电流：5kA

极间电容：1pF

50+： ¥ 1.986355

500+： ¥ 1.628121

1500+： ¥ 1.474651

5000+： ¥ 1.283071

20000+： ¥ 1.053278

40000+： ¥ 1.002087

总额：¥ 99.32

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