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SI2319CDS-T1-GE3 复制

品牌:VISHAY复制

封装:-

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:E004660

手册:  

漏源电压(Vdss): 400V

连续漏极电流(Id): 6.3A

导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd): 125W

1+: ¥ 4.170000

10+: ¥ 3.590000

100+: ¥ 2.700000

500+: ¥ 2.120000

1000+: ¥ 1.650000

1000+: ¥ 1.650000

CN: 1+

1 个/EA

总额:¥ 4.17

SI2319CDS-T1-GE3 复制

品牌:Vishay Siliconix复制

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:L32060360

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 4.4A

导通电阻(RDS(on)): 108mΩ@4.5V,3.7A

耗散功率(Pd): 2.5W

1+: ¥ 0.890000

10+: ¥ 0.556000

100+: ¥ 0.360000

500+: ¥ 0.275400

1000+: ¥ 0.248140

总额:¥ 0.89

Total:21
总2条记录,每页20条,共1页。
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