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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

SI4100DY-T1-E3 复制

品牌：VISHAY(威世)复制

封装：SOIC-8

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：C10091566

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

10+： ¥ 1.690000

100+： ¥ 1.580000

总额：¥ 16.9

SI4100DY-T1-E3 复制

品牌：VISHAY(威世)复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E10091627

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

10+： ¥ 1.500000

广东： 320+

1 个/PCS

总额：¥ 15

SI4100DY-T1-E3 复制

品牌：VISHAY(威世)复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E017257

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

10+： ¥ 1.500000

广东： 320+

1 个/PCS

总额：¥ 15

SI4100DY-T1-E3 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E021594

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

10+： ¥ 1.500000

深圳： 100+

1 个/PCS

总额：¥ 15

Total:41
总4条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

SI4100DY-T1-E3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

编号：L44044642

1+： ¥ 16.444743

10+： ¥ 10.470095

100+： ¥ 7.042317

500+： ¥ 5.574355

1000+： ¥ 5.102333

总额：¥ 16.44

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