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SI4435DY 复制

品牌:onsemi复制

封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

编号:L32054762

1+: ¥ 1.650000

10+: ¥ 1.042000

100+: ¥ 0.694000

500+: ¥ 0.544820

1000+: ¥ 0.496800

总额:¥ 1.65

SI4435DY 复制

品牌:ONSEMI复制

封装:-

类目:场效应管(MOSFET)

编号:E003228

1+: ¥ 7.070000

10+: ¥ 6.310000

100+: ¥ 4.920000

500+: ¥ 4.080000

1000+: ¥ 3.360000

PH: 1+

1 个/EA

总额:¥ 7.07

SI4435DY 复制

品牌:UMW复制

封装:-

类目: 线性稳压器(LDO)

编号:L32052755

工作电压: 35V

输出电压: 6V

输出电流: 1.2A

电源纹波抑制比(PSRR): -

1+: ¥ 0.760000

10+: ¥ 0.472000

100+: ¥ 0.303800

500+: ¥ 0.231000

1000+: ¥ 0.207500

总额:¥ 0.76

SI4435DY(UMW) 复制

品牌:UMW(友台半导体)复制

封装:-

类目: 线性稳压器(LDO)

编号:E20146415

工作电压: 35V

输出电压: 6V

输出电流: 1.2A

电源纹波抑制比(PSRR): -

5+: ¥ 0.679600

-: 2240+

3000 个/PCS

总额:¥ 3.4

SI4435DYTRPBF 复制

品牌:Infineon Technologies复制

封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

编号:L32059794

1+: ¥ 1.320000

10+: ¥ 0.831000

总额:¥ 1.32

SI4435DY 复制

品牌:Infineon Technologies复制

封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:L32069326

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 8.8A

导通电阻(RDS(on)): 20mΩ@10V,8A

耗散功率(Pd): 2.5W

95+: ¥ 1.379890

总额:¥ 131.09

SI4435DYTR 复制

品牌:Infineon Technologies复制

封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

编号:L32068022

4000+: ¥ 0.937500

总额:¥ 3750

Total:71
总7条记录,每页20条,共1页。
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