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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

SI6562CDQ-T1-GE3 复制

品牌:VISHAY复制

封装:-

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:E007462

手册:  

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

1+: ¥ 7.290000

10+: ¥ 6.530000

100+: ¥ 5.100000

500+: ¥ 4.210000

1000+: ¥ 3.400000

CN: 1+

1 个/EA

总额:¥ 7.29

SI6562CDQ-T1-GE3 复制

品牌:VISHAY复制

封装:-

类目:场效应管(MOSFET)

编号:E006536

手册:  

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

1+: ¥ 7.290000

10+: ¥ 6.530000

100+: ¥ 5.100000

500+: ¥ 4.320000

CN: 1+

1 个/EA

总额:¥ 7.29

Total:21
总2条记录,每页20条,共1页。
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原厂正品

SI6562CDQ-T1-GE3 复制

品牌:Vishay Siliconix复制

封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

编号:L51834434

1+: ¥ 13.717725

10+: ¥ 8.660347

100+: ¥ 5.772187

500+: ¥ 4.532138

1000+: ¥ 4.133250

总额:¥ 13.72

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