SI7617DN-T1-GE3 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E005414

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

SI7617DN-T1-GE3 复制

品牌：vishay semiconductors复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51028316

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：35A

导通电阻(RDS(on))：12.3mΩ@10V，13.9A

耗散功率(Pd)：3.7W

SI7617DN-T1-GE3 复制

品牌：Vishay Siliconix复制

封装：PowerPAK® 1212-8

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44044430

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：35A

导通电阻(RDS(on))：12.3mΩ@10V，13.9A

耗散功率(Pd)：3.7W