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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

SM8S24AHE3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D1442210

手册:  

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：38.9V

不同频率时电容：-

供应商器件封装：DO-218AB

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：6600W（6.6kW）

总额：¥ 0

SM8S24AH 复制

品牌：Eaton - Electronics Division复制

封装：-

编号：D1407614

手册:  

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：38.9V

不同频率时电容：-

供应商器件封装：DO-218AB

制造商：Eaton - Electronics Division

功率 - 峰值脉冲：6600W（6.6kW）

总额：¥ 0

SM8S24AHE3_A/K 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D1505849

手册:  

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：38.9V

不同频率时电容：-

供应商器件封装：DO-218AB

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：6600W（6.6kW）

总额：¥ 0

SM8S24AHE3/2D 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D1476350

手册:  

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：38.9V

不同频率时电容：-

供应商器件封装：DO-218AB

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：6600W（6.6kW）

总额：¥ 0

SM8S24AHE3/2E 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D1475682

手册:  

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：38.9V

不同频率时电容：-

供应商器件封装：DO-218AB

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：6600W（6.6kW）

总额：¥ 0

SM8S24AHE3-TP 复制

品牌：MCC (Micro Commercial Components)复制

封装：-

编号：D1471661

手册:  

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：38.9V

不同频率时电容：-

供应商器件封装：DO-218AB

制造商：MCC (Micro Commercial Components)

功率 - 峰值脉冲：6600W（6.6kW）

总额：¥ 0

SM8S24AHM3/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D1471611

手册:  

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：38.9V

不同频率时电容：-

供应商器件封装：DO-218AC

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：6600W（6.6kW）

总额：¥ 0

Total:71
总7条记录，每页20条，共1页。
Mouser
原厂正品

SM8S24AHm3/i 复制

品牌：vishay复制

封装：Reel, Cut Tape

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51140736

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 323.280511

10+： ¥ 213.279228

100+： ¥ 170.231188

500+： ¥ 151.742008

750+： ¥ 126.436110

2250+： ¥ 124.381756

4500+： ¥ 123.728099

总额：¥ 323.28

SM8S24AHm3/i 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025764

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 323.280511

10+： ¥ 213.279228

100+： ¥ 170.231188

500+： ¥ 151.742008

750+： ¥ 126.436110

2250+： ¥ 124.381756

4500+： ¥ 123.728099

总额：¥ 323.28

Digikey
原厂正品

SM8S24AHE3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-218AB

编号：L42097355

供应商器件封装：DO-218AB

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：6600W（6.6kW）

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

1+： ¥ 42.392730

10+： ¥ 28.071755

100+： ¥ 19.936978

总额：¥ 42.39

SM8S24AH 复制

品牌：Eaton - Electronics Division复制

封装：DO-218AB

编号：L42157861

手册:  

供应商器件封装：DO-218AB

制造商：Eaton - Electronics Division

功率 - 峰值脉冲：6600W（6.6kW）

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

1+： ¥ 30.740927

10+： ¥ 20.097294

100+： ¥ 14.022656

总额：¥ 30.74

SM8S24AHE3/2E 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-218AB

编号：L42325059

手册:  

供应商器件封装：DO-218AB

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：6600W（6.6kW）

包装：卷带（TR）

750+： ¥ 26.581233

总额：¥ 19935.92

SM8S24AHE3_A/K 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-218AB

编号：L42319285

供应商器件封装：DO-218AB

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：6600W（6.6kW）

包装：卷带（TR）

750+： ¥ 17.393993

总额：¥ 13045.49

SM8S24AHM3/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-218AC

编号：L42318664

供应商器件封装：DO-218AC

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：6600W（6.6kW）

包装：卷带（TR）

750+： ¥ 17.238718

总额：¥ 12929.04

SM8S24AHE3/2D 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-218AB

编号：L42315762

手册:  

供应商器件封装：DO-218AB

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：6600W（6.6kW）

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

750+： ¥ 15.188662

总额：¥ 11391.5

SM8S24AHE3-TP 复制

品牌：MCC (Micro Commercial Components)复制

封装：DO-218AB

编号：L42315431

供应商器件封装：DO-218AB

制造商：MCC (Micro Commercial Components)

功率 - 峰值脉冲：6600W（6.6kW）

包装：卷带（TR）

750+： ¥ 14.689783

总额：¥ 11017.34

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