SMBJ10HE3/5B 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D1500174

手册:  

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：18.8V

不同频率时电容：-

供应商器件封装：DO-214AA（SMBJ）

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：600W

SMBJ10HE3/52 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D1501694

手册:  

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：18.8V

不同频率时电容：-

供应商器件封装：DO-214AA（SMBJ）

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：600W

SMBJ10H 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：-

编号：D1436167

手册:  

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：18.8V

不同频率时电容：-

供应商器件封装：DO-214AA（SMB）

制造商：Taiwan Semiconductor Corporation

功率 - 峰值脉冲：600W

SMBJ10H 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AA，SMB

编号：L42213844

手册:  

供应商器件封装：DO-214AA（SMB）

制造商：Taiwan Semiconductor Corporation

功率 - 峰值脉冲：600W

包装：卷带（TR）