SMBJ60A-E3/52 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D1418017

手册:  

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：96.8V

不同频率时电容：-

供应商器件封装：DO-214AA（SMBJ）

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：600W

SMBJ60A-E3/52 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E022039

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

SMBJ60A-E3/5B 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D455285

手册:  

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：96.8V

不同频率时电容：-

供应商器件封装：DO-214AA（SMBJ）

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：600W

SMBJ60A-E3/52 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AA，SMB

编号：L42100142

供应商器件封装：DO-214AA（SMBJ）

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：600W

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

SMBJ60A-E 复制

品牌：Littelfuse Inc.复制

封装：DO-214AA，SMB

编号：L42140107

SMBJ60A-E3/5B 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AA，SMB

编号：L42178242

供应商器件封装：DO-214AA（SMBJ）

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

功率 - 峰值脉冲：600W

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带