SMP4221TR 复制

品牌：InterFET复制

封装：-

编号：D6165698

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：2.5 V @ 0.1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：2.8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3pF @ 15V

供应商器件封装：SOT-23-3

SMP4221ATR 复制

品牌：InterFET复制

封装：-

编号：D6165664

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：2.5 V @ 0.1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：2.8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3pF @ 15V

供应商器件封装：SOT-23-3

SMP4221 复制

品牌：InterFET复制

封装：-

编号：D6165719

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：2.5 V @ 0.1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：2.8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3pF @ 15V

供应商器件封装：SOT-23-3

SMP4221A 复制

品牌：InterFET复制

封装：-

编号：D6165721

手册:  

FET 类型：N 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：2.5 V @ 0.1 nA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：2.8 mA @ 15 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3pF @ 15V

供应商器件封装：SOT-23-3

SMP4221TR 复制

品牌：InterFET复制

封装：SOT-23-3

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700130

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：20V

耗散功率(Pd)：350mW

输入电容(Ciss)：3pF@15V

工作温度：-55℃~+150℃

SMP4221ATR 复制

品牌：InterFET复制

封装：SOT-23-3

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700099

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：20V

耗散功率(Pd)：350mW

输入电容(Ciss)：3pF@15V

工作温度：-55℃~+150℃

SMP4221A 复制

品牌：InterFET复制

封装：SOT-23-3

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58700136

手册:  

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：20V

耗散功率(Pd)：350mW

输入电容(Ciss)：3pF@15V

工作温度：-55℃~+150℃

SMP4221 复制

品牌：InterFET复制

封装：SOT-23-3

类目： 结型场效应管(JFET)

编号：L58699979

手册:  

栅源击穿电压(V(BR)GSS)：20V

耗散功率(Pd)：350mW

输入电容(Ciss)：3pF@15V

工作温度：-55℃~+150℃