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SQ2308CES-T1_GE3 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E008486

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 4.720000

10+： ¥ 4.030000

100+： ¥ 3.010000

500+： ¥ 2.360000

1000+： ¥ 1.830000

CN： 1+

1 个/EA

总额：¥ 4.72

SQ2308CES-T1_GE3 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016618

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 4.720000

10+： ¥ 4.030000

100+： ¥ 3.010000

500+： ¥ 2.360000

1000+： ¥ 1.830000

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 4.72

SQ2308CES-T1_GE3 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E015598

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 4.720000

10+： ¥ 4.030000

100+： ¥ 3.010000

500+： ¥ 2.360000

1000+： ¥ 1.830000

CN： 255+

1 个/EA

总额：¥ 4.72

Total:31
总3条记录，每页20条，共1页。

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