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SS12HE3_B/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

编号：L44102393

1800+： ¥ 1.030152

3600+： ¥ 0.931814

5400+： ¥ 0.881736

9000+： ¥ 0.825377

12600+： ¥ 0.817031

总额：¥ 1854.27

SS12HM3_B/I 复制

品牌：Vishay复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44101997

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

15000+： ¥ 0.934128

总额：¥ 14011.92

SS12HM3_B/H 复制

品牌：Vishay复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44101528

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

18000+： ¥ 0.850830

总额：¥ 15314.94

SS12HE3_B/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

编号：L44101518

7500+： ¥ 0.844632

15000+： ¥ 0.817031

总额：¥ 6334.74

SS12HE3-LTP 复制

品牌：MCC (Micro Commercial Components)复制

封装：DO-214AC，SMA

编号：L44101470

5000+： ¥ 0.835542

总额：¥ 4177.71

SS12H 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AC，SMA

编号：L44099179

15000+： ¥ 0.482186

总额：¥ 7232.79

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