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SST6427T116 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

类目: 达林顿管

编号:L44708620

集射极击穿电压(Vceo):40V

直流电流增益(hFE):10000

集电极截止电流(Icbo):50nA

集射极饱和电压(VCE(sat)):1.5V

3000+: ¥ 1.154685

6000+: ¥ 1.053620

9000+: ¥ 1.030813

总额:¥ 3464.06

SST6427T116 复制

品牌:Rohm Semiconductor复制

封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

类目: 达林顿管

编号:L33195488

集射极击穿电压(Vceo):40V

直流电流增益(hFE):10000

集电极截止电流(Icbo):50nA

集射极饱和电压(VCE(sat)):1.5V

3000+: ¥ 1.154685

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