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SSTA13T116 复制

品牌：Rohm Semiconductor复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

类目： 达林顿管

编号：L44708640

集射极击穿电压(Vceo)：30V

直流电流增益(hFE)：10000

耗散功率(Pd)：200mW

集电极电流(Ic)：300mA

3000+： ¥ 1.166255

6000+： ¥ 1.064363

9000+： ¥ 1.043539

总额：¥ 3498.77

SSTA13T116 复制

品牌：Rohm Semiconductor复制

封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

类目： 达林顿管

编号：L33195606

集射极击穿电压(Vceo)：30V

直流电流增益(hFE)：10000

耗散功率(Pd)：200mW

集电极电流(Ic)：300mA

3000+： ¥ 1.166255

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