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STGB10H60DF 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L44715490

集射极击穿电压(Vces)：600V

集电极电流(Ic)：20A

耗散功率(Pd)：115W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 20.493951

10+： ¥ 13.164058

100+： ¥ 8.970235

500+： ¥ 7.174536

总额：¥ 20.49

STGB10H60DF 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L33203143

集射极击穿电压(Vces)：600V

集电极电流(Ic)：20A

耗散功率(Pd)：115W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 20.493951

10+： ¥ 13.164058

100+： ¥ 8.970235

500+： ¥ 7.174536

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