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STGB15H60DF 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L44716795

集射极击穿电压(Vces)：600V

集电极电流(Ic)：30A

耗散功率(Pd)：115W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 22.973058

10+： ¥ 14.800269

100+： ¥ 10.150290

500+： ¥ 8.160394

总额：¥ 22.97

STGB15H60DF 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L33205153

集射极击穿电压(Vces)：600V

集电极电流(Ic)：30A

耗散功率(Pd)：115W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 22.973058

10+： ¥ 14.800269

100+： ¥ 10.150290

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