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STGB15M65DF2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L44715668

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：30A

耗散功率(Pd)：136W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 21.816142

10+： ¥ 14.015218

100+： ¥ 9.574311

500+： ¥ 7.675481

总额：¥ 21.82

STGB15M65DF2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L33203425

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：30A

耗散功率(Pd)：136W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 21.816142

10+： ¥ 14.015218

100+： ¥ 9.574311

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