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STGB18N40LZT4 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L44715494

手册:  

集射极击穿电压(Vces)：420V

集电极电流(Ic)：30A

耗散功率(Pd)：150W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 21.733505

10+： ¥ 13.965636

100+： ¥ 9.542909

500+： ¥ 7.652507

总额：¥ 21.73

STGB18N40LZT4 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L33203147

手册:  

集射极击穿电压(Vces)：420V

集电极电流(Ic)：30A

耗散功率(Pd)：150W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 21.733505

10+： ¥ 13.965636

100+： ¥ 9.542909

500+： ¥ 7.652507

总额：¥ 21.73

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