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STGB20M65DF2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L44715499

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：40A

耗散功率(Pd)：166W

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，20A

1+： ¥ 23.468880

10+： ¥ 15.130816

100+： ¥ 10.387458

500+： ¥ 8.358722

总额：¥ 23.47

STGB20M65DF2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L33203151

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：40A

耗散功率(Pd)：166W

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，20A

1+： ¥ 23.468880

10+： ¥ 15.130816

100+： ¥ 10.387458

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