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STGB20NB41LZT4 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L44715527

手册:  

集射极击穿电压(Vces)：442V

集电极电流(Ic)：40A

耗散功率(Pd)：200W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 33.881129

10+： ¥ 22.237590

100+： ¥ 15.601847

500+： ¥ 13.107535

总额：¥ 33.88

STGB20NB41LZT4 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L33203282

手册:  

集射极击穿电压(Vces)：442V

集电极电流(Ic)：40A

耗散功率(Pd)：200W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 33.881129

10+： ¥ 22.237590

100+： ¥ 15.601847

500+： ¥ 13.107535

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