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STGB30V60DF 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L44716777

集射极击穿电压(Vces)：600V

集电极电流(Ic)：60A

耗散功率(Pd)：258W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 29.749284

10+： ¥ 19.370089

100+： ¥ 13.483037

500+： ¥ 10.967900

总额：¥ 29.75

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品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L33205157

集射极击穿电压(Vces)：600V

集电极电流(Ic)：60A

耗散功率(Pd)：258W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 29.749284

10+： ¥ 19.370089

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