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STGB40H65FB 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L44715370

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：80A

耗散功率(Pd)：283W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 31.980480

10+： ¥ 20.923663

100+： ¥ 14.625905

500+： ¥ 12.108620

总额：¥ 31.98

STGB40H65FB 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

类目： IGBT管/模块

编号：L33203025

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：80A

耗散功率(Pd)：283W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 31.980480

10+： ¥ 20.923663

100+： ¥ 14.625905

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总额：¥ 31.98

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