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STGD4M65DF2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

类目： IGBT管/模块

编号：L33205149

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：8A

耗散功率(Pd)：68W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 13.387178

10+： ¥ 8.470282

100+： ¥ 5.638316

500+： ¥ 4.425041

1000+： ¥ 4.034416

总额：¥ 13.39

STGD4M65DF2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

类目： IGBT管/模块

编号：L44716792

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：8A

耗散功率(Pd)：68W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 13.387178

10+： ¥ 8.470282

100+： ¥ 5.638316

500+： ¥ 4.425041

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