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STGD6M65DF2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

类目： IGBT管/模块

编号：L33202994

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：12A

耗散功率(Pd)：88W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 14.213547

10+： ¥ 8.990895

100+： ¥ 6.004397

500+： ¥ 4.724021

1000+： ¥ 4.312076

总额：¥ 14.21

STGD6M65DF2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

类目： IGBT管/模块

编号：L44715343

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：12A

耗散功率(Pd)：88W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 14.213547

10+： ¥ 8.990895

100+： ¥ 6.004397

500+： ¥ 4.724021

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