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STGF30M65DF2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-220-3 整包

类目： IGBT管/模块

编号：L33203433

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：60A

耗散功率(Pd)：38W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 25.947987

50+： ¥ 12.868218

100+： ¥ 11.601394

500+： ¥ 9.378131

1000+： ¥ 8.663818

2000+： ¥ 8.063296

5000+： ¥ 7.430049

总额：¥ 25.95

STGF30M65DF2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-220-3 整包

类目： IGBT管/模块

编号：L44715508

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：60A

耗散功率(Pd)：38W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 25.947987

50+： ¥ 12.868218

100+： ¥ 11.601394

500+： ¥ 9.378131

1000+： ¥ 8.663818

2000+： ¥ 8.063296

5000+： ¥ 7.430049

总额：¥ 25.95

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