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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

STGW40M120DF3 复制

品牌:STMicroelectronics复制

封装:TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号:L33203331

集射极击穿电压(Vces):1.2kV

集电极电流(Ic):80A

耗散功率(Pd):468W

栅极阈值电压(Vge(th)):-

1+: ¥ 55.779908

30+: ¥ 31.804216

120+: ¥ 26.523718

510+: ¥ 22.653171

1020+: ¥ 21.241154

2010+: ¥ 20.929861

总额:¥ 55.78

STGW40M120DF3 复制

品牌:STMicroelectronics复制

封装:TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号:L44717011

集射极击穿电压(Vces):1.2kV

集电极电流(Ic):80A

耗散功率(Pd):468W

栅极阈值电压(Vge(th)):-

1+: ¥ 55.779908

30+: ¥ 31.804216

120+: ¥ 26.523718

510+: ¥ 22.653171

1020+: ¥ 21.241154

2010+: ¥ 20.929861

总额:¥ 55.78

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