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STGW75H65DFB2-4 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-4

类目： IGBT管/模块

编号：L44716851

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：115A

耗散功率(Pd)：357W

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，75A

1+： ¥ 72.059377

30+： ¥ 41.935500

120+： ¥ 35.316945

510+： ¥ 30.469382

1020+： ¥ 29.395020

总额：¥ 72.06

STGW75H65DFB2-4 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-4

类目： IGBT管/模块

编号：L33205212

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：115A

耗散功率(Pd)：357W

栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，75A

1+： ¥ 72.059377

30+： ¥ 41.935500

120+： ¥ 35.316945

510+： ¥ 30.469382

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