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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

STGW80H65DFB 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-3

类目： IGBT管/模块

编号：L44715322

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：120A

耗散功率(Pd)：469W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 52.887616

30+： ¥ 30.032976

120+： ¥ 24.996257

510+： ¥ 21.303132

1020+： ¥ 19.955820

2010+： ¥ 19.498177

总额：¥ 52.89

STGW80H65DFB 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-3

类目： IGBT管/模块

编号：L33202977

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：120A

耗散功率(Pd)：469W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 52.887616

30+： ¥ 30.032976

120+： ¥ 24.996257

510+： ¥ 21.303132

1020+： ¥ 19.955820

2010+： ¥ 19.498177

总额：¥ 52.89

STGW80H65DFB-4 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-4

类目： IGBT管/模块

编号：L44717853

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：120A

耗散功率(Pd)：469W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

600+： ¥ 37.106695

总额：¥ 22264.02

STGW80H65DFB-4 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-4

类目： IGBT管/模块

编号：L33206715

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：120A

耗散功率(Pd)：469W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

600+： ¥ 37.106695

总额：¥ 22264.02

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