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STGWA20H65DFB2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-3

类目： IGBT管/模块

编号：L44717045

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：40A

耗散功率(Pd)：147W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 27.104903

30+： ¥ 14.610204

120+： ¥ 11.854263

510+： ¥ 9.830238

1020+： ¥ 9.091133

2010+： ¥ 8.482017

5010+： ¥ 7.880420

总额：¥ 27.1

STGWA20H65DFB2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-3

类目： IGBT管/模块

编号：L33205515

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：40A

耗散功率(Pd)：147W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 27.104903

30+： ¥ 14.610204

120+： ¥ 11.854263

510+： ¥ 9.830238

1020+： ¥ 9.091133

2010+： ¥ 8.482017

5010+： ¥ 7.880420

总额：¥ 27.1

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