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STGWA30HP65FB2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-3

类目： IGBT管/模块

编号：L44715678

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：50A

耗散功率(Pd)：167W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 26.856993

30+： ¥ 14.491785

120+： ¥ 11.754438

510+： ¥ 9.744543

1020+： ¥ 9.010562

2010+： ¥ 8.405578

5010+： ¥ 7.798857

总额：¥ 26.86

STGWA30HP65FB2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-3

类目： IGBT管/模块

编号：L33203435

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：50A

耗散功率(Pd)：167W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 26.856993

30+： ¥ 14.491785

120+： ¥ 11.754438

510+： ¥ 9.744543

1020+： ¥ 9.010562

2010+： ¥ 8.405578

5010+： ¥ 7.798857

总额：¥ 26.86

STGWA30HP65FB 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-3

类目： IGBT管/模块

编号：L44717451

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：60A

耗散功率(Pd)：260W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

600+： ¥ 14.048686

总额：¥ 8429.21

STGWA30HP65FB 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-3

类目： IGBT管/模块

编号：L33206125

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：60A

耗散功率(Pd)：260W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

600+： ¥ 14.048686

总额：¥ 8429.21

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