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STGWA75M65DF2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-3

类目： IGBT管/模块

编号：L44717014

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：120A

耗散功率(Pd)：468W

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，75A

1+： ¥ 58.341651

30+： ¥ 33.368780

120+： ¥ 27.876897

510+： ¥ 23.851241

1020+： ¥ 22.382618

2010+： ¥ 22.208667

总额：¥ 58.34

STGWA75M65DF2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-3

类目： IGBT管/模块

编号：L33205482

集射极击穿电压(Vces)：650V

集电极电流(Ic)：120A

耗散功率(Pd)：468W

栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，75A

1+： ¥ 58.341651

30+： ¥ 33.368780

120+： ¥ 27.876897

510+： ¥ 23.851241

1020+： ¥ 22.382618

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总额：¥ 58.34

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