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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

STGWT60H65DFB 复制

品牌:STMicroelectronics复制

封装:TO-3P-3,SC-65-3

类目: IGBT管/模块

编号:L44716809

集射极击穿电压(Vces):650V

集电极电流(Ic):80A

耗散功率(Pd):375W

栅极阈值电压(Vge(th)):-

1+: ¥ 41.731635

30+: ¥ 23.259560

120+: ¥ 19.182752

510+: ¥ 16.192948

1020+: ¥ 15.101811

2010+: ¥ 14.202804

5010+: ¥ 14.183632

总额:¥ 41.73

STGWT60H65DFB 复制

品牌:STMicroelectronics复制

封装:TO-3P-3,SC-65-3

类目: IGBT管/模块

编号:L33205170

集射极击穿电压(Vces):650V

集电极电流(Ic):80A

耗散功率(Pd):375W

栅极阈值电压(Vge(th)):-

1+: ¥ 41.731635

30+: ¥ 23.259560

120+: ¥ 19.182752

510+: ¥ 16.192948

1020+: ¥ 15.101811

2010+: ¥ 14.202804

5010+: ¥ 14.183632

总额:¥ 41.73

没有符合条件的记录。