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STGYA50H120DF2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-3

类目： IGBT管/模块

编号：L44715724

集射极击穿电压(Vces)：1.2kV

集电极电流(Ic)：100A

耗散功率(Pd)：535W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 54.044533

10+： ¥ 41.508515

30+： ¥ 37.842164

120+： ¥ 34.573213

270+： ¥ 33.174088

510+： ¥ 32.279295

1020+： ¥ 31.470115

2520+： ¥ 30.625318

总额：¥ 54.04

STGYA50H120DF2 复制

品牌：STMicroelectronics复制

封装：TO-247-3

类目： IGBT管/模块

编号：L33203593

集射极击穿电压(Vces)：1.2kV

集电极电流(Ic)：100A

耗散功率(Pd)：535W

栅极阈值电压(Vge(th))：-

1+： ¥ 54.044533

10+： ¥ 41.508515

30+： ¥ 37.842164

120+： ¥ 34.573213

270+： ¥ 33.174088

510+： ¥ 32.279295

1020+： ¥ 31.470115

2520+： ¥ 30.625318

总额：¥ 54.04

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