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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

STGYA50M120DF3 复制

品牌:STMicroelectronics复制

封装:TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号:L44715777

集射极击穿电压(Vces):1.2kV

集电极电流(Ic):100A

耗散功率(Pd):535W

栅极阈值电压(Vge(th)):-

1+: ¥ 74.207936

30+: ¥ 43.254880

120+: ¥ 36.455930

510+: ¥ 31.476560

1020+: ¥ 30.180070

总额:¥ 74.21

STGYA50M120DF3 复制

品牌:STMicroelectronics复制

封装:TO-247-3

类目: IGBT管/模块

编号:L33203353

集射极击穿电压(Vces):1.2kV

集电极电流(Ic):100A

耗散功率(Pd):535W

栅极阈值电压(Vge(th)):-

1+: ¥ 74.207936

30+: ¥ 43.254880

120+: ¥ 36.455930

510+: ¥ 31.476560

1020+: ¥ 30.180070

总额:¥ 74.21

没有符合条件的记录。